近日，台湾交通大学联手台积电成功研制出了一种全球最薄、厚度只有0.7纳米的基于氮化硼（简称BM)的超薄二维半导体在允许电压下不导电的材料，这样一种材料可让芯片业界突破现有的工艺达到1nm的程度，该成果已经发表在了最新的一期自然期刊上。这对于中国芯片的业界来说，绝对是一个好消息，虽然目前中国已经能够量产14nm的芯片了，14nm的芯片也占到了目前为止市面以上的6成，这在某种程度上预示着具有生产14nm以上的能力就已经具备了芯片生产的基本能力。但是14nm的生产技术放在当今世界上是远远不足够的，毕竟中国现在是世界上消耗芯片最多的国家，但是只有中芯国际具有14nm的生产技术，但像其他公司已具有了7nm甚至5nm的生产技术，我们不应该站在14nm的进度上观望。
台积电处长李连忠表示，交大的化学实验室团队跟台积电的技术人员通过不断的突破和技术探讨研究，虽然最近还无法说明量产时间，但双方已经成功地让新材料生长的铜上作为一个保护半导体材料的通道。目前为止这样一种材料还有很多地方需要优化，例如元件优化和金属接触，但是我们也很有时间和决心来等待这个半导体材料的里程碑。
氮化硼材料是一种出色的绝缘体，能够很好地隔绝金属，但氮化硼材料也并非是最近研发的新材料。凭借着氮化硼优秀的绝缘体性能，台积电将在制程工艺上更进一步。但当台积电将脚步迈的更远得时候，同样是需要付出一些代价的，因为这样一种材料并不适配于台积电的最新技术，例如5nm工艺材料的芯片。因为像5nm之前的工艺材料都是一些氧化物的绝缘体，很容易让一些电子黏在上面因此导致电流的不易通过，造成芯片难以运行。
总而言之，今年来的技术持续不断的发展，让人认为摩尔定律已经不管用了，但台积电的发明又推进了摩尔定律的发展。在科学理论上，一旦材料的制程低于5nm，那么这样一种材料就将处于一个量子领域，晶体管之间将变得很不稳定，及其易发生隧穿效应。在未来的后摩尔时代里，各国之间势必要争夺半导体材料研发的新领域，新材料，新应用，新领域，将带给行业不断的活力。而台积电研发出的氮化硼材料，正是为这个时代开启大门的一把钥匙，为未来百花齐放的时代打下基础，也是半导体制程的一个里程碑。
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