数码爱好者朋友往往都对芯片规划和制作十分感兴趣，可是提起这方面的厂商，许多朋友耳熟能详的只要ARM、ASML、英特尔、格罗方德、联芯、中芯世界、三星和台积电等等，事实上该范畴的重量级玩家远不止这些，还包含IMEC。
IMEC英文全称是“Interuniversity Microelectronics Centre”，中文名称是“微电子研讨中心”，成立于1984年，是一家坐落欧洲的公司，一起也是一家威望的半导体研讨组织。其详细的研讨方向和事务首要会集在微电子、纳米技能、信息通讯体系技能（ICT）、芯片制程技能、元件整合、纳米技能、微体系和元件及封装等方面。
对芯片制作工业来说，规范化十分重要，在光刻机正式交给给芯片制作商之前，往往需求近十年时刻的研制，而在该研制阶段IMEC扮演着重要的人物，之前该组织曾与荷兰ASML公司进行协作，协助后者开辟EUV技能，作出了重要的奉献。简而言之，IMEC不直接大规模出产芯片，从事的是比较底层、根底的研制作业。
近来，该组织在比利时安特卫普举行的未来峰会上共享了其亚“1nm”芯片和晶体管开展道路图，向大众介绍了从现在到2036年，该公司将与台积电、英特尔、三星和 ASML 等职业巨子协作，联合研制的下几个首要芯片工艺节点和晶体管架构的时刻表，十分具有参考价值。
IMEC发布的道路图展现的要点内容包含突破性的晶体管规划、从3纳米规范 FinFET 晶体管到2nm和A7工艺的新GAA纳米片（nanosheet）和叉片（forksheet）式规划，然后是A5和A2的CFET和根据原子通道的突破性规划。
请注意：10埃米等于1纳米，本文图片中的字母“A”代表埃米，图中的“A14” 指的是1.4纳米，“A7”相当于7埃米，“A5”和“A2”以此类推。
继续提高芯片制作的第一步是启用下一代的制作东西，现在的第4代EUV光刻机的孔径为0.33，对此芯片制作商将不得不运用多重图形技能（每层需求进行超越一次以上的曝光）来制作 2nm 芯片。
为此，晶圆有必要对单层“印刷”屡次，当然运用这种制作办法呈现缺点、残次品的可能性就会更高，难度和本钱也将会更高，会导致产值下降，芯片出产周期时刻延伸等多方面的负面影响。
而下一代的High-NA型第5代EUV光刻机的孔径为0.55，精度更高，可在单次曝光中创立更小的结构，能够削减需求曝光的次数，然后能够下降芯片规划的复杂性，并提高产值，减缩出产周期时刻，节约本钱，具有严重的优势。
IMEC和ASML估计这些制作东西将在2026年左右完结大规模量产，首台High-NA型第5代EUV光刻机估计将由ASML在2023年上半年制作完结，价值约为 4 亿美元。
可是，制作完结并不代表能够当即交给给芯片制作商，依然需求继续测验完善，估计英特尔将成为第一家取得High-NA型第五代EUV Twinscan EXE:5200光刻机的芯片制作公司，要比及2025年左右才可取得正式交给。
别的，IMEC估计Gate All Around (GAA)/纳米片晶体管技能也将于2024年初次露脸，可应用于2纳米节点，替代当时的 FinFET技能，芯片的晶体管的密度能够进一步增强，功能方面也会得到必定的改善。
虽然现在芯片制作面对各种难题，规划周期越来越长，本钱和难度越来越高，可是IMEC依然深信摩尔定律将继续有用。
未来归纳运用各种技能，芯片制作仍可继续稳健提高，IMEC的情绪十分达观，估计芯片将在2030年左右进入 A7 节点亚 1nm 年代，也便是将进入埃米年代。
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