近年来，我国半导体工业一直在尽力，但由于距离太大，现在仍然相对落后。现在，我国的芯片首要依靠进口，每年的芯片进口乃至超过了石油，在进口商品中位列榜首。
尤其是本年5月，美国再次公布对华为的新禁令，这次直接对准了咱们的软肋，要堵截华为的芯片供应链。这让台积电不能给华为代工高端芯片，会让华为事务陷入困境。这也突显了咱们芯片制作上的严重不足！
那么，在芯片制作上，咱们终究差在哪儿，怎么进行破局，其间又面临着什么困难？下面，咱们先从芯片是怎么制成的开端说起。
芯片制作进程非常杂乱，咱们简略了解下。芯片出产其实是一个点砂成金的进程，从砂子到晶圆再到芯片。首要，要从熔态硅中拉出晶圆并切片，获得晶圆。
其次，将感光材料均匀涂改在晶圆上，运用光刻机将杂乱的电路结构转印到感光材料上，被曝光的部分会溶解并被水冲掉，从而在晶圆外表露出出杂乱的电路结构，再运用蚀刻机将露出出来的硅片的部分刻蚀掉。
然后，通过离子注入等数百道杂乱的工艺，镀铜后再切削掉外表剩余的铜，就能将数以亿计的晶体管连接起来。通过测验、晶片切开和封装，就得到了咱们见到的芯片。
由此，咱们可以看到，芯片制作中要用到三个设备：光刻机、蚀刻机、离子注入机，这三个是芯片出产进程中，有必要要用到的关键设备，要想制作高端芯片，这三个设备也有必要到达高端。
为了霸占芯片制作，我国从多方面不断尽力，尤其是这三个关键设备，多年前就开端尽力，现在均获得必定成果。尤其是中微半导体，打破了5nm蚀刻机，到达世界领先水平，并已用于台积电本年的5nm芯片出产中，别的两大设备也获得重大打破！
光刻机方面：上海微电子传来好音讯，将于下一年开端交给国内首台28nm浸没式光刻机。此前仅能出产90nm光刻机，现在一跃进入28nm，可以说是重大打破！
离子注入机：我国电子科技集团宣告，由该集团旗下电科配备自主研制的高能离子注入机成功，完成百万电子伏特高能离子加快，功能到达世界先进水平。
光刻机和高能离子注入机的成功，都是从无到有的打破。这两大设备成功后，将使国内芯片制作再进一步，可以出产更多规模的芯片，削减一大部分对国外的依靠！有外媒评论道：这些设备的打破，让我国芯迎来大起色！
为了扼制我国高科技的开展，西方组织了42个国家参加的《瓦森纳协议》，以此在技能和设备方面来约束我国。像中芯世界于2018年订货的荷兰ASML的EUV光刻机，就因为美国以此阻遏，至今未到货。
不只是运用这个协议，西方还有一个惯用的镇压套路，便是在咱们没有时，他们狮子大开口要价，当咱们霸占后，他们就狠狠降价，让你的产品失掉竞争力，无法再继续前进，终究到达垄断商场！
最近，有音讯传来，上海微电子刚打破28nm光刻机不久，荷兰ASML立刻将他们的同款光刻机大幅降价，目的首先抢占国内商场，这直接让没有出厂的上微光刻机瞬间损失优势和商场，严重影响出货量不说，乃至有或许连研制本钱都不行！
西方为了镇压我国高科技开展，一向如此，这样的比如不计其数。像蚀刻机，之前美国对咱们进行技能封闭，约束蚀刻机设备对我国出口，等中微半导体打破蚀刻机后，他们就敏捷解除约束并降价出售。
结语：芯片规划方面，华为海思的水平现已到达全球领先水平，除了海思还有许多的芯片规划公司，差不多有1400家左右，像紫光展锐、寒武纪等。首要便是差在芯片制作，不过咱们还有中芯世界，其水平现在现已到达全球第五。
虽然中芯世界制作水平跟台积电、三星还有距离，但连全球第三、四名都抛弃了先进制程研制，而中芯世界现在一直在尽力，虽然先进制程几乎没有发明赢利。
虽然咱们的光刻机还有很大距离，但咱们有必要支撑国产，虽然他们还不是特别优异，但只需给他们时机，他们必定会更优异，终究获益的仍是咱们自己及子孙后代！
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