芯片的生产流程非常杂乱，大略来说，这一流程包含：拟定标准、挑选构架、逻辑规划、电路规划、布线、制作、测验、封装、总测验。这其间最重要的是电路规划和制作，而芯片的制作工艺最能体现一个公司的技术水平。
在基尔比发明晰芯片后的几年里，RCA开发出了MOS管。1962年，RCA在仙童的硅平面双极工艺的基础上，开发出了MOS硅平面工艺。与双极型芯片比较，MOS芯片具有功耗低、结构简略、集成度高、成品率高的长处。1963年，硅平面工艺的CMOS芯片工艺也被开发出来了，很快，CMOS芯片工艺就成了芯片工业的干流。今日，90%以上的芯片是由硅平面的CMOS芯片工艺制作的。
从芯片的开展前史来看，芯片的开展方向是高速、高频、低功耗。因而，CMOS芯片成为首选。现在，最先进的CMOS芯片工艺制程已到了7纳米，这相当于28个二氧化硅分子的巨细。CMOS芯片的工艺极为杂乱，运用的设备动辄上亿美元。可是，由于芯片带来的赢利非常大，许多公司和组织仍是乐意出资芯片制作业。
CMOS芯片工艺流程可分为前端制作（包含晶圆处理、晶圆测验）和后段制作（包含封装、测验）。
晶圆处理：是在硅晶圆上制作电子器材（如CMOS、电容、逻辑闸等）与电路，该进程极端杂乱且出资极大，以微处理器为例，其制作工序可达数百道，所需加工设备先进且贵重，动辄上千万美元一台。对制作环境无尘室（Clean-room）的要求极苛刻，温度、湿度与含尘均需严格控制。虽然，各类产品的制作工序稍有不同，但根本工序一般是在晶圆清洗后，进行氧化及淀积，然后重复进行光刻、刻蚀、薄膜淀积及离子注入等工序，最终构成晶圆上的电路。
晶圆测验：是在晶圆完成后，在晶圆上进行的电测验。一般景象下，一片晶圆上只要一种产品。每个晶粒将会逐个通过测验，不合格的晶粒被标上记号。然后，晶圆将以晶粒为单位切割成一粒粒独立的晶粒。
芯片封装：使用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成产品；意图是给制作出的电路加上保护层，防止电路遭到机械性刮伤或是高温损坏。
1—界说双阱2—界说阻隔浅沟槽3—界说栅极氧化层及栅极4—界说源、漏的浅结5—界说栅极氧化硅侧墙6—界说源、漏区7—界说源、漏合金区8—界说氧化层和源、漏衔接金属层09—界说阻隔层1和金属层0、1的衔接10—界说金属层111—界说阻隔层2和金属层1、2的衔接12—界说阻隔层3、金属层2和金属层2、3的衔接13—界说阻隔层4、5金属层3、4和它们的衔接14—界说管脚引线及外层绝缘
芯片制作一般有六个重要进程：一是光刻（Photolithography）；二是离子注入（Ion Implantation）；三是分散（Diffusion）；四是薄膜淀积（Deposition）；五是刻蚀（Etch）；六是化学机械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）。这六个进程在芯片制作的进程中会被重复用到，把各种不同的器材制作在硅晶圆上，然后通过金属堆积把做好的器材衔接成电路。
1. 光刻：光刻和传统的照相类似，先在晶圆上涂上光刻胶（Photo Resistor），然后曝光掩膜板（Mask），显影光刻胶（Develop），再刻蚀曝光过的区域。所以，晶圆上就留出了刻蚀或离子注入的区域。光刻工艺首要用于界说硅晶圆上的几许图画（见图14-3）。
2. 离子注入。离子注入便是把晶圆作为一个电极，在离子源和晶圆之间加上高电压，所以那些掺杂离子就会以极高的能量打入晶圆，在晶圆上构成N或P型区域。离子注入后有必要对晶圆进行高温退火（Anneal）然后修正离子注入后晶圆的损害。离子注入首要用于制作不同的半导体区域（N区或P区见下图）。
3. 分散。分散在芯片制作中有两个效果：一是在高温下激活或把杂质注入硅晶圆，二是发生氧化层，发生氧化层的温度为800～1050℃。
4. 薄膜淀积。薄膜淀积是把物质堆积在晶圆外表上。有化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition，CVD）和物理气相淀积（Physical Vapor Deposition，PVD）等办法。化学气相淀积是把几种气体注入硅晶圆之上，进行化学反应后物质淀积在晶圆上。物理气相淀积把一个个原子淀积在硅晶圆上，它是从固相到气相再到固相的进程。
6. 刻蚀。刻蚀是依照掩模图形或规划要求对半导体衬底（Substrate）外表或外表掩盖薄膜进行挑选性腐蚀或剥离。刻蚀有湿刻蚀（Wet Etch）和等离子刻蚀（Plasma Etch）两种。湿刻蚀是把硅晶圆浸入某种化学溶液中，把要去掉的物质腐蚀掉。等离子刻蚀则是用高能等离子束把要去掉的物质打掉。
6. 化学机械研磨。为了使硅晶圆的外表在通过加工后依然平整，就要对加工后的硅晶圆外表进行研磨。
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