分散部按车间区分首要由分散区域及注入区域组成，其间分散区域又分分散老区和分散新区。分散区域按工艺分，首要有热氧化、分散、LPCVD、合金、清洗、沾污测验等六大工艺。本文首要介绍热氧化、分散及合金工艺。
热氧化法是在高温下（900℃-1200℃）使硅片外表构成二氧化硅膜的办法。热氧化的意图是在硅片上制作出必定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器材起维护、钝化、绝缘、缓冲介质等效果。硅片氧化前的清洗、热氧化的环境及进程是制备高质量二氧化硅膜的重要环节。
常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的分散系数远小于在硅中的分散系数，因而氧化层具有阻挠杂质向半导体中分散的才能。运用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出挑选分散窗口，则在窗口区就能够向硅中分散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，完成对硅的挑选性分散。
1960年二氧化硅就已被用作晶体管挑选分散的掩蔽膜，然后导致了硅平面工艺的诞生，创始了半导体制作技能的新阶段。一起二氧化硅也可在注入工艺中，作为挑选注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，必定要确保满意厚的厚度，杂质在二氧化硅中的分散或穿透深度必需要小于二氧化硅的厚度，并有必定的余量，以防止或许呈现的工艺动摇影响掩蔽效果。
其一：硅与氮化硅的应力较大，因而在两层之间成长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；
二氧化硅的相对介电常数为3-4。二氧化硅的耐击穿才能强，温度系数小，是制作电容介质的常用资料。在电容的制作进程中，电容的面积和光刻、腐蚀有较大的联系，而厚度则由二氧化硅的厚度决议。
二氧化硅的阻隔效果比PN结的阻隔效果好，漏电流小，耐击穿才能强，阻隔区和衬底之间的寄生电容小，不受外界偏压的影响，使器材有较高的开关速度。如工艺中常用的场氧化便是成长较厚的二氧化硅膜，抵达器材阻隔的意图。
二氧化硅的厚度和质量直接决议着MOS场效应晶体管的多个电参数，因而在栅氧化的工艺操控中，要求特别严厉。
氧分子以分散的办法经过氧化层抵达二氧化硅-硅外表，与硅发生反响，生成必定厚度的二氧化硅层。
干氧化制作的SiO结构细密，均匀性、重复性好，掩蔽才能强，对光刻胶的粘附性较好，但成长速率较慢；一般用于高质量的氧化，如栅氧等；厚层氧化时用作开始和中止氧化；薄层缓冲氧化也运用此法。
水汽氧化成长速率快，但结构疏松，掩蔽才能差，有较多缺点。对光刻胶的粘附性较差，咱们公司不选用此办法。
湿氧氧化的成长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间； 在今日的工艺中HO的构成通常是由H和O的反响得到；因而经过H和O的流量份额来调理O和HO的分压份额，然后调理氧化速率，但为了安全，H/O份额不行超越1.88。
湿氧氧化的氧化层对杂质掩蔽才能以及均匀性均能满意工艺要求，而且氧化速率比干氧氧化有明显进步，因而在厚层氧化中得到了较为广泛的运用，如场氧化等。
氧化气体中掺入HCL或DCE（CHCl）后，氧化速率及氧化层质量都有进步。人们从两个方面来解说速率改动的原因，其一：掺氯氧化时反响产品有HO，加快氧化；其二：氯堆集在Si-SiO界面邻近，氯与硅反响生成氯硅化物，氯硅化物稳定性差，在有氧的情况下易转变成SiO，因而，氯起了氧与硅反响的催化剂的效果。而且氧化层的质量也大有改进，一起能消除钠离子的沾污，进步器材的电功能和可靠性。热氧化进程中掺入氯会使氧化层中含有必定量的氯原子，然后能够削减钠离子沾污，钝化SiO中钠离子的活性，按捺或消除热氧化缺点，改进击穿特性，进步半导体器材的可靠性和稳定性。
硅片的热氧化进程是氧化剂穿透二氧化硅层向二氧化硅和硅界面运动并与硅进行反响。Deal-Grove方程详细描绘了这种热氧化进程。
当掺杂杂质的浓度适当高时，会发生增强氧化，使氧化速率发生较大改动。如LVMG产品N+退火氧化：
2.4.6 氯化物的影响2.4.7 氧化剂分压的影响2.5 常见问题及处理膜厚反常，但均匀性杰出
5、关于外焚烧的炉管，请查看焚烧装置的遍地衔接正常，然后进行TORCH焚烧试验。
分散技能意图在于操控半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发
展初期是半导体器材出产的首要技能之一。但随着离子注入的呈现，分散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和操控精度等方面的巨大下风日益突出，在制作技能中的运用已大大下降。
这种杂质原子或离子巨细与Si原子巨细不同不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳动行进分散，杂质原子分散时占有晶格格点的正常方位，不改动本来硅资料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种办法。
这种杂质原子巨细与Si原子巨细不同较大，杂质原子进入硅晶体后，不占有晶格格点的正常方位，而是从一个硅原子空隙到另一个硅原子空隙逐次跳动行进。镍、铁等重金属元素等是此种办法。
exp（-X2/4Dt）是高斯函数，因而限制源分散时的杂质散布是高斯函数散布。
由以上的求解公式，能够看出分散系数D以及外表浓度对稳定外表分散的影响适当大
分散系数是描绘杂质在硅中分散快慢的一个参数，用字母D表明。D大，分散速率快。D与分散温度T、杂质浓度N、衬底浓度NB、分散气氛、衬底晶向、缺点等要素有关。
杂质分散进入硅中后，与硅构成固溶体。在必定的温度下，杂质在硅中有一个最大的溶解度，其对应的杂质浓度，称该温度下杂质在硅中的固溶度。固溶度在必定程度上决议了硅片的外表浓度。
淀积到硅片外表的金属层经光刻构成必定的互连图形之后，还必须进行一次热处理，称为“合金化”。合金的意图是使触摸孔中的铝与硅之间构成低电阻欧姆触摸，并添加铝与二氧化硅之间的附着力。
在热处理进程中，硅会不停地往铝膜中运送，直到铝膜中的含硅量在此温度下抵达饱满，溶解进程才中止。
硅在铝膜中的溶解和分散进程受铝晶粒尺度、孔边际氧化层应力、孔上剩余的SiO2的影响，引起铝膜对硅的不均匀溶解。溶解入硅的铝膜，咱们称之为‘铝钉’。铝钉的存在，会发生PN结击穿特性退化。严峻时，呈现PN结短路。
进程：在400A氧化层上淀积8000A铝膜。实践在干法去胶后，氧化层剩余140A左右。
实践工艺中，预先在铝源中参加适量的硅，使硅在铝膜中处于饱满，防止硅在铝膜中的溶解，也就防止了‘铝钉’的发生。一起用TiN层来阻挠铝膜向硅中的浸透，在TiN与硅的结合处，预先构成TiSi化合物来加强粘附性。
现在上华选用的合金工艺的效果不仅仅是构成欧姆触摸，它的另一个最大的效果在于：包括N、H烘陪工艺，是削减外表态密度，防止软击穿的有用办法。
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